Intel toont zijn eerste wafer gemaakt in 10 nm en komt als eerste aan op fpga

Inhoudsopgave:
Intel loopt zonder twijfel voorop op het gebied van siliciumverwerkingstechnologie en is altijd een van de sterkste voorstanders geweest van een branchebrede categorisering, zowel om verwarring te voorkomen als om zijn procesleiderschap in perspectief te plaatsen. Dit komt omdat niet alle op silicium gebaseerde chipmakers dezelfde standaarden gebruiken om de grootte van hun transistors te meten en "vies" te spelen om geavanceerder te lijken dan ze in werkelijkheid zijn.
Intel begint te produceren met zijn 10nm Tri-Gate-proces
Intel's leiderschap strekt zich uit tot 10 mm waar ze de transisterdichtheid 2, 7-voudig willen verbeteren. De productie van Intel-chips bij 10 nm gaat van start in de sector van FPGA's die vanwege hun extreem redundante karakter de meest geschikte kandidaat zijn, aangezien een defect geen catastrofale problemen met de getroffen chips zou opleveren, kan Intel eenvoudig uitschakelen individuele deursystemen met defecten om van te profiteren. Alle fabricageprocessen zijn in het begin onvolwassen, dus ze zijn in eerste instantie niet geschikt voor de fabricage van zeer complexe monolithische chips waarbij het slagingspercentage te laag zou zijn.
Dat is de belangrijkste reden waarom Intel de "Falcon Mesa" FPGA-architectuur op de proef stelt met het 10nm-proces. Hierdoor kan het bedrijf het 10nm-productieproces verder verfijnen met een product met een relatief laag risico, dat minder gevoelig is voor prestatieproblemen en defecten, terwijl het optimaliseert voor de productie van zijn meest kritieke producten., voornamelijk CPU's. Mesa Falcon's "FPGA" -ontwerp zal ook profiteren van Intel's EMIB-verpakkingsoplossing, waarbij chipverpakking wordt gedaan met extra siliciumsubstraten die een snellere verbinding en gegevensoverdracht tussen afzonderlijke siliciumblokken mogelijk maken. Dit vermijdt de noodzaak van een volledige silicium-interposer omdat AMD zijn Vega-grafische kaarten gebruikt, een efficiƫntere, maar veel duurdere manier om dit te doen.
Dit betekent dat Intel niet alle componenten van een chip hoeft te vervaardigen in hetzelfde low-risk, high-performance 10nm-proces, omdat ze andere procesknooppunten op 14nm of zelfs 22nm kunnen gebruiken voor onderdelen die niet kritisch zijn in termen van energieverbruikend of vereist geen state-of-the-art fabricage.
Bron: techpowerup
Samsung kondigt exynos 9 aan, de eerste chip gemaakt op 10nm

Samsung heeft de officiƫle presentatie gedaan van zijn nieuwe Exynos 9 Series 8895-chip, die aanwezig zal zijn in de nieuwe Samsung Galaxy S8-telefoons.
Sk hynix kondigt zijn nieuwe 8GB gerunde DDR4-geheugen aan, gemaakt in 1ynm

De nieuwe SK Hynix 8Gb 1Ynm DDR4 DRAM ondersteunt een gegevensoverdrachtsnelheid tot 3200 Mbps, alle details.
Samsung heeft zijn eerste 3nm gaafet-knooppunten gemaakt

Samsung is van plan 's werelds toonaangevende producent van halfgeleiders te worden en presteert beter dan bedrijven als TSMC en Intel.