3D nand-herinneringen: China zal in 2017 met de productie beginnen

Yangtze River Storage Technology (YRST) -bedrijf zal de eerste zijn die het nieuwe 3D NAND-geheugen in China gaat produceren. De productie van de eerste 3D NAND- geheugenwafels begint in 2017 en ze hopen dit type geheugen met 32 ​​niveaus te produceren.

Ze zullen 300.000 3D NAND-geheugenwafels maken

3D NAND 's kunnen meerdere geheugenlagen bevatten binnen hetzelfde silicium, zodat SSD-schijven met een hogere capaciteit in dezelfde ruimte kunnen worden bereikt. Bedrijven als Intel-Micron of A-DATA hebben dit type geheugen al op de markt. Het zou voor het eerst zijn dat een Chinese fabrikant NAND Flash- en DRAM-geheugens gaat produceren.

De totale investering van het YRST-bedrijf bedraagt ​​24.000 miljoen dollar om de fabriek te voltooien en het is al gepland om de faciliteiten uit te breiden in 2018 en een laatste fase van uitbreiding in 2019. Dit werd niet alleen bereikt door de YRST zelf, maar ook door een investering door de Chinese regering zelf en een alliantie met het toonaangevende halfgeleiderbedrijf XMC. De bronnen geven ook aan dat er steun is van Tsinghua Unigroup met de medewerking van Micron, dus er zijn er niet weinigen die bij dit bedrijf betrokken zijn.

YRST zal naar verwachting ongeveer 300.000 wafers per maand kunnen produceren, wat zal voldoen aan de groeiende vraag naar NAND-geheugens die worden gebruikt in SSD's en smartphones. Het nieuws is belangrijk omdat het op middellange termijn zou helpen om de kosten van dit type units te verlagen. Nog een stap om te beginnen met het stopzetten van de harde schijven die al tientallen jaren bij ons zijn.