Micron vertelt over de breuk met informatie over de nand

Micron heeft gesproken over de reden achter het uiteenvallen met Intel met betrekking tot samenwerking bij de ontwikkeling van NAND-geheugen. Afgelopen januari kondigden Intel en Micron aan dat hun unie in de ontwikkeling van NAND-geheugen ten einde liep, en beide bedrijven zijn van plan om hun NAND-technologie onafhankelijk te blijven ontwikkelen.

Micron zet in op Charge-Trap-technologie om zijn NAND-chips te produceren

De reden achter dit uiteenvallen was tot nu toe onbekend, hoewel alles erop wees dat Intel en Micron hun NAND-technologie in verschillende richtingen wilden nemen. Micron en Intel gebruiken Floating Gate NAND-technologie, een productietechniek die ze als superieur promoten aan het Charge-Trap-model, dat wordt gebruikt door bijna alle andere fabrikanten zoals Samsung, SK Hynix, Western Digital en Toshiba. Vooruitblikkend op de vierde generatie, is Micron van plan over te schakelen naar Charge-Trap, waardoor Intel de enige supporter van Floating Gate-technologie blijft.

We raden aan om ons bericht te lezen over de beste SSD's van het moment SATA, M.2 NVMe en PCIe (2018)

Tot nu toe was Micron sceptisch over de levensduur van NAND 3D Charg-Trap-geheugen, en speculeerde dat gegevens mogelijk verloren zouden gaan na zes maanden zonder stroom. Micron geloofde dus niet dat de met Charge-Trap ontwikkelde NAND bruikbaar was als langdurig niet-vluchtig opslagmedium. Momenteel gebruiken de meeste fabrikanten Charge-Trap zonder tekenen van problemen met gegevensverlies, dus Micron heeft besloten deze technologie te omarmen die het tot nu toe heeft afgewezen.

Ondanks deze breuk blijven de twee bedrijven samenwerken aan de ontwikkeling van XPoint-geheugen, met plannen om de technologie verder te ontwikkelen als een niet-vluchtig opslagmedium en als alternatief voor DRAM in geselecteerde toepassingen.

Overclock3d lettertype