Samsung begint met de productie van zijn nieuwe emramherinneringen

Samsung Electronics heeft vandaag aangekondigd dat het is begonnen met de serieproductie van haar nieuwe eMRAM- geheugens met behulp van een productieproces van 28 nanometer (FD-SOI).

De eMRAM-herinneringen van Samsung beloven een revolutie teweeg te brengen in de branche

MRAM-geheugen is al vele jaren in ontwikkeling en het is niet-vluchtig magnetisch RAM, wat betekent dat het geen gegevens verliest als het geen stroom heeft, zoals bij normaal RAM-geheugen.

De op 28FDS gebaseerde eMRAM-oplossing van Samsung biedt ongekende kracht- en snelheidsvoordelen tegen lagere kosten. Omdat eMRAM geen duidelijke cyclus nodig heeft voordat gegevens worden geschreven, is de schrijfsnelheid ongeveer duizend keer sneller dan eFlash. Bovendien gebruikt eMRAM lagere spanningen dan Flash-geheugens en verbruikt het geen stroom in de uit-stand, wat resulteert in een hoge energie-efficiëntie.

De voordelen ten opzichte van de geheugens die tegenwoordig worden gebruikt, zoals RAM- en Flash-geheugens, zijn revolutionair, met latenties van 1ns, hogere snelheid en grotere weerstand. De eMRAM- geheugens zijn ontworpen om de huidige RAM- en Flash NAND-geheugens te vervangen, maar daarvoor zullen we even moeten wachten.

Er wordt gezegd dat de eerste door Samsung gemaakte modules een zeer beperkte capaciteit zullen hebben. Het Koreaanse bedrijf wilde niet te veel details geven over de modules die ze vervaardigen, maar het is de bedoeling om voor eind 2019 een module van 1 GB te testen. Later is Samsung ook van plan eMRAM te maken met behulp van het 18FDS-proces, evenals knooppunten gebaseerd op meer geavanceerde FinFET's.

Dit kan de geboorte zijn van een nieuw tijdperk als het gaat om computeropslag. We zullen de evolutie volgen.

TechpowerupAnandtech Lettertype