Samsung begint met de massaproductie van zijn tweede generatie 10nm-dram

Het lijdt geen twijfel dat Samsung een van de beste fabrikanten van DRAM- en NAND-geheugen ter wereld is, nu heeft de Zuid-Koreaan een nieuwe stap voorwaarts gezet door de massaproductie van zijn tweede generatie DRAM op 10nm te starten.

Samsung produceert DRAM al in massa met zijn tweede 10nm-generatie

Gyoyoung Jin, de president van Samsung, heeft aangekondigd dat het bedrijf al massaproductie van nieuwe DRAM-geheugenchips heeft gelanceerd met behulp van de tweede generatie van zijn 10nm-proces. Deze nieuwe technologie zal de productiviteit met 30% verhogen in vergelijking met het vorige productieproces bij 10 nm, terwijl de prestaties tegelijkertijd met 10% zullen toenemen, terwijl de energie-efficiëntie met 15% zal toenemen.

RAMBUS vertelt over de kenmerken van DDR5-geheugen

Om deze verbeteringen te bereiken, is EUV-technologie niet gebruikt, maar zijn eigen ontwerptechnieken van Samsung toegepast. Het bedrijf beweert dat " luchtafstandhouders " zijn gebruikt om de parasitaire capaciteit te verminderen, waardoor het buitensporige gebruik van energie dat nodig is om de prestaties van geheugencellen te verbeteren, is verminderd.

Samsungs nieuwe tweede generatie 10nm DRAM kan werken met 3.600 Mbps, wat een aanzienlijke verbetering betekent ten opzichte van de 3200 Mbps die het huidige geheugen biedt. Samsungs volgende generatie DDR4-geheugen zal de productie mogelijk maken van snelle geheugenkits met minder extreme IC -poolingprocessen, wat op zijn beurt de prijs van snel DDR4-geheugen zou kunnen verlagen.

Deze nieuwe techniek is niet exclusief voor DDR4, maar zal ook worden gebruikt in toekomstige DRAM-geheugenstandaarden zoals HBM3, DDR5, GDDR6 en LPDDR5. Samsung werkt al hard om deze nieuwe soorten geheugen zo snel mogelijk op de markt te brengen en zo haar leiderschap in de sector te versterken.

Overclock3d lettertype