Samsung is van plan in 2021 massief 3nm gaafet-chips te produceren

Halverwege vorig jaar kwam het nieuws naar buiten dat Samsung van plan was om in 2022 3nm-chips te produceren, maar het ziet ernaar uit dat dat een jaar te vroeg zal zijn, met de komst van een nieuwe transistortechnologie genaamd GAAFET.

Samsung begint in 2021 met het produceren van 3nm GAAFET-chips

Samsung heeft bevestigd dat het van plan is om in 2021 de serieproductie van de 3nm Gate-All-Around Field-Effect Transistors (GAAFET's) te starten met een type transistor dat is ontworpen om de bekende FinFET's van vandaag te volgen.

De GAAFET-naam beschrijft alles wat u moet weten over technologie. Overwin de prestatie- en schaalbeperkingen van FinFET door vier poorten aan alle kanten van een kanaal aan te bieden voor volledige dekking. Ter vergelijking: FinFET beslaat drie zijden van een waaiervormig kanaal. GAAFET tilt inderdaad het idee van een driedimensionale transistor naar een hoger niveau.

De nieuwe technologie zal het ook mogelijk maken om met lagere spanningen te werken dan nu, hoewel ze niet precies hebben beschreven hoe deze verbetering in energieprestaties zich zal vertalen.

Samsung ontwikkelt zijn GAAFET-technologie al enkele jaren en de eerdere schattingen van het bedrijf plaatsen de lancering van de 4nm GAAFET-technologie al in 2020. Samsung verwacht ook dat het het eerste bedrijf is dat een 7nm EUV- procesknooppunt lanceert ., met plannen om later dit jaar met de productie te beginnen. Zijn concurrent TSMC is ook van plan de EUV-technologie te implementeren met zijn 7nm + -knooppunt.

Als de schattingen van Samsung kloppen, heeft het bedrijf de kans om de komende jaren 's werelds toonaangevende siliciumfabrikant te worden, hoewel dat niet betekent dat TSMC niet kan vechten.

Overclock3D lettertype