Toshiba komt op tegen optane met zijn xl-technologie

Toshiba heeft op de Flash Memory Summit aangekondigd dat het 3D XL-Flash-technologie ontwikkelt, met de nadruk op het creëren van 3D NAND-geheugens met lage latentie die kunnen concurreren met opkomende Optane- en 3D XPoint-geheugentechnologieën. Toshiba zegt dat de nieuwe benadering van NAND-geheugen met lage latentie de latentiewaarden kan verlagen tot slechts 1/10 van de huidige NAND TLC-prijs voor consumenten.

XL-Flash-technologie belooft de latentie van het 3D-NAND-geheugen te verbeteren

Een bijgewerkte NAND-architectuur met XL-Flash zou een equivalent kunnen zijn van wat Samsung doet met zijn Z-NAND- technologie, wat de productiekosten zou kunnen verlagen in vergelijking met Optane. Toshiba zal zijn BiCS-flitstechnologie gebruiken, maar XL-Flash zal, althans aanvankelijk, in SLC-implementaties worden ingezet om de prestaties te verbeteren (7 microseconden responstijd versus 30 microseconden QLC). Dit zal natuurlijk de opslagdichtheid verminderen, maar laten we niet vergeten dat het doel is om Optane-achtige prestaties en gelijke of betere dichtheid te bieden tegen een lagere prijs.

Stappen die Toshiba heeft ondernomen om de prestaties te verbeteren, zijn onder meer het verkorten van bitlijnen en woordlijnen, interne verbindingen tussen cellen of kortere paden tussen cellen betekent een lagere latentie en betere prestaties. Bovendien zijn parallellisme en prestaties verbeterd door meer flash-vliegtuigen toe te voegen, onafhankelijke regio's die tegelijkertijd op gegevensverzoeken kunnen reageren.

De XL-Flash zal naar verwachting worden gebruikt als cachegeheugen in QLC-schijven met hoge dichtheid, evenals als stand-alone producten die proberen te onttronen wat wordt aangeboden door Intel's Optane-geheugen.

Toshiba lijkt ambitieus met het XL-Flash- initiatief en het moet een van de grootste geheugenfabrikanten ter wereld zijn.

Techpowerup-lettertype