UK iii-v geheugen, geheugen nr

Onderzoekers van de Lancaster University in het Verenigd Koninkrijk zijn erin geslaagd een type niet-vluchtig flash-geheugen te creëren dat net zo snel is als DRAM maar slechts 1% van de energie gebruikt die modern NAND- of DRAM-geheugen nodig heeft. om databits te schrijven. Het geheugen heet UK III-V Memory.

UK III-V-geheugen, niet-vluchtig geheugen zo snel als DRAM en verbruikt 100 keer minder

Het benodigde energieverbruik is ongeveer 10 tot de kracht van -17 joule voor een deur die is gebouwd in het 20nm lithografische proces. UK III-V geheugentransistors hebben een typische uit-stand, en een gate-lading zou ongeveer 5ns kosten, terwijl het legen 3ns kost, beide cijfers zeer respectabel. Deze cijfers zullen waarschijnlijk iets hoger zijn als er een controller wordt toegevoegd, maar dat zou de behaalde efficiëntie compenseren.

De ontwikkeling bevindt zich nog in de eenvoudige transistortrap, dus dit vertalen naar een volledig commercieel product is nog ver weg. Het is echter een hele prestatie om niet-vluchtig geheugen te bouwen dat efficiënt en snel genoeg is om te concurreren met DRAM.

Het hebben van niet-vluchtig geheugen zo snel als DRAM is interessant omdat het kan worden gebruikt om pc's te bouwen die de gegevens die we momenteel in het RAM opslaan, kunnen bewaren wanneer het systeem volledig is uitgeschakeld en daarom in een oogwenk kan worden hervat vanaf het punt waar het was achtergelaten van een volledige uitschakelstatus. Dit elimineert de noodzaak van slaapstanden en stelt systemen ook in staat RAM uit te schakelen wanneer deze niet actief is, waardoor het stroomverbruik verder wordt verlaagd.

Bezoek onze gids over het beste RAM-geheugen op de markt

De vraag die bij me opkomt is of UK III-V-geheugen de herhaalde herschrijvingen die DRAM doorgaans ondergaat, aankan. Als slijtage een probleem is, kan dat elke droom van een computer met niet-vluchtig RAM verpletteren.

Tomshardware-lettertype